MEMSテクノロジー

DRIE (反応性イオンエッチング技術) ボッシュのプロセスエンジニアは、プロセスの可能性を引き出すため、絶え間なくDRIEの最適化を目指しています。 マスクレイヤー、エッチストップ、洗浄、キャラクタリゼーションといった、多種多様な組み合わせが確立されています。 MEMS業界では「ボッシュ・プロセス」と呼ばれてます。
犠牲エッチング
酸化物やシリコンの等方エッチングが、可動MEMS構造体やキャビティー実現のため採用されています。
KOH ウエット エッチング 高速異方性プロセスは大量生産を可能にしました。 水酸化カリウム ウェット・エッチングや電解水酸化カリウム エッチングを最適化し確立した手順で実現するのです。
ウェハ ボンディング
ボンディング材料(ガラスフリット、陽極接合)、封止圧力、媒体、アライメント精度など、多種多様な要求仕様に合わせて、ウェハー・ボンディング技術を提供できます。
メタライゼーション
プロセスに合わせてスパッタリングやエッチング技術などの確立した工程で、ICと互換性のある材料、プラチナなどの特殊材料などを利用できます。
Lithography
プロセスに合わせてさまざまなリソグラフィ用ツールを導入できます。                  
  • マスク・アライメント 5x1ステッパー、1x1プロジェクション、近接、裏面アライメント、IRアライメント
  •  コースター/デベロッパー 標準型スピン・コーティング、スプレー・コーティング、ウェハー・コーティング
薄膜蒸着
多種多様な蒸着方法を採用できます。
  • 誘電体: CVD酸化、CVD窒化、熱酸化、その他。
  • シリコン: 多種多様なドーピングのオプションがある、LPCVDポリ、エピタキシャル・シリコン、エピタキシャル・ポリ