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MEM生产技术
深度反应离子蚀刻(DRIE)
博世的工程部门一直以来都在不断优化DRIE技术，以便发挥这一生产工艺的最大效用。同时，我们开发并结合了掩膜涂层、蚀刻阻断、清洁和表征方法等各种工艺，这些生产技术被MEMS行业称之为“博世工艺”。
博世的工程部门一直以来都在不断优化DRIE技术，以便发挥这一生产工艺的最大效用。同时，我们开发并结合了掩膜涂层、蚀刻阻断、清洁和表征方法等各种工艺，这些生产技术被MEMS行业称之为“博世工艺”。
牺牲蚀刻法
我们应用了等向性氧蚀刻或等向性硅蚀刻技术实现了可移动式MEMS结构或槽穴。
我们应用了等向性氧蚀刻或等向性硅蚀刻技术实现了可移动式MEMS结构或槽穴。
矽基异向性蚀刻(KOH)
异向蚀刻技术适用于大规模生产，现在的生产流程普遍采用的是KOH湿蚀刻、以及利用废Pn变迁实现蚀刻阻断的KOH电化学蚀刻。
异向蚀刻技术适用于大规模生产，现在的生产流程普遍采用的是KOH湿蚀刻、以及利用废Pn变迁实现蚀刻阻断的KOH电化学蚀刻。
镜片键合
晶片键合技术可以适合不同需求和规格的要求，例如键合材料（玻璃粉、阳极键合等），以及气密引压和中等对准精度的要求等。
晶片键合技术可以适合不同需求和规格的要求，例如键合材料（玻璃粉、阳极键合等），以及气密引压和中等对准精度的要求等。
金属喷镀
根据工作流程IC可兼容金属或外部材料如Pt等可以用在现有技术中，包括溅射和蚀刻技术等。
根据工作流程IC可兼容金属或外部材料如Pt等可以用在现有技术中，包括溅射和蚀刻技术等。
光刻
根据工作流程可以应用各种光刻工具：
根据工作流程可以应用各种光刻工具：
- 掩膜对准：5x1 步进式对准机， 1x1 保护、 接近式、 对背面对准, 红外对准
- 涂胶/显影机：标准旋涂、喷涂、晶片边缘喷涂
薄膜沉积
可采用的沉积方法很多：
可采用的沉积方法很多：
- 电介质：CVD-氧离子和氮化物、热氧化等。
- 硅：LPCVD-单晶硅、外延硅、外延多晶硅并可添加多种介质
