技术数据
封装尺寸
1.28 x 1.28 x 0.5 mm³晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)
运行范围
-40 °C至85 °C
电源电压
VDDIO:1.72 V … 3.6 V
VDD:1.72 V … 1.98 V
VDD:1.72 V … 1.98 V
输出噪声均方根典型值
3dB BW = ODR/2
3dB BW = ODR/2
± 190 nTrms(x、y轴)和
± 450 nT rms(z轴)
± 450 nT rms(z轴)
灵敏度温度漂移(典型值)
± -0.010 %/K
平均电流消耗(典型值)
正常模式下200 µA @ 100 Hz
磁场范围,所有轴
± 2000 µT
焊接后的零场失调漂移(典型值)
± 25 µT
焊接后的灵敏度/增益误差(典型值)
± 1 %
接口
I2C和I3C
TCO误差(典型值)
± 200 nT/K
最大采样率
400 Hz(正常模式)